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一种半导体氧化设备，其配有:由室壁界定的可密封氧化室;设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座;用于向所述氧化室供应对所述

半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸汽的供应部分;监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处;监测部分，其设置于所述氧化室之外，半导体设备，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品;以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。

干法清洗主要是采用气态的刻蚀不规则分布的有结构的晶圆二氧化硅层，丽水半导体氧化设备，虽然具有对不同薄膜有高选择比的优点，但可清洗污染物比较单一，目前在 28nm 及以下技术节点的逻辑产品和存储产品有应用。晶圆制造产线上通常以湿法清洗为主，少量特定步骤采用湿法和干法清洗相结合的方式互补所短，半导体氧化设备价格，在短期内湿法工艺和干法工艺无相互替代的趋势，目前湿法清洗是主流的清洗技术路线，占比达芯片制造清洗步骤数量的 90%。

随着半导体芯片工艺技术节点进入 28 纳米、14 纳米等更等级，工艺流程的延长且越趋复杂，半导体氧化设备报价，产线成品率也会随之下降。造成这种现象的一个原因就是制程对杂质的敏感度更高，小尺寸污染物的清洗更困难。解决的方法主要是增加清洗步骤。每个晶片在整个制造过程中需要甚至超过 200 道清洗步骤，晶圆清洗变得更加复杂、重要及富有挑战性。